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SiR470DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.012
I D = 20 A
0.010
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.00 8
0.006
0.1
0.004
T J = 125 °C
0.01
0.001
0.002
0.000
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 5 mA
200
160
120
8 0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.7
- 1.0
I D = 250 μA
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
1 ms
10
10 m s
1
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68899
S-82295-Rev. A, 22-Sep-08
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